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전계 방출 나노 SiC 와이어에 사용되는 탄화규소 나노와이어

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silicon carbide nanowire

전계 방출 나노 SiC 와이어에 사용되는 탄화규소 나노와이어

Hongwu Nano는 2002년부터 다양한 수요를 충족시키기 위해 다양한 사양의 0차원 입자, 1차원 위스커 및 나노와이어를 포함하는 나노 탄화규소 재료를 제조 및 공급해 왔습니다. 배치 생산 재료의 품질이 좋고 안정적입니다.

  • 제품 번호.:

    D500C

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제품 세부 정보

전계 방출 나노 SiC 와이어에 사용되는 실리콘 카바이드 나노 와이어


사양:

명칭 : 탄화규소 나노와이어(SiC-NWs)

직경: 100-500nm

길이: 20-100um

순도: 99%

관련 소재: 나노/서브미크론/미크론 SiC 분말, SiC 위스커


이점 및 적용:

SiC 나노와이어는 기계적, 전기화학적, 열 전도성이 뛰어나 전계 방출, 강화 및 강화 재료, 슈퍼커패시터, 전자파 흡수 장치 촉매 작용 및 기타 분야 등 다양한 분야에 응용할 수 있습니다.

현장 방출:
탄화규소 나노와이어는 열전도율이 우수하여 밴드갭 폭이 2.3eV 이상으로 높고 전계방출 성능이 우수하여 집적회로 칩, 진공 마이크로 전자소자 등에 활용이 가능하다. .

위의 정보는 참고용입니다. 자세한 내용은 실제 적용 및 테스트를 거쳐야 합니다.


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