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철 니켈 페니 합금 나노 입자.

좋은 가격으로 다이아몬드 도구 나노 fe-ni 합금 분말

높은 품질의 70nm ferronickel fe-ni 나노 합금 분말자성 재료.

페로 니켈 Fe-Ni 나노 합금 저주파 연 자성 물질에서 높은 투자율과 낮은 보자력을 가진 약한 자기장이다.

아나타제 나노 이산화 티타늄은 우수한 광촉매 효과를 가지며 광촉매 및 공기 정화 제품에 널리 사용됩니다.

루테늄커패시터 멤브레인으로 99.95 %의 순도를 가진 나노 입자와 높은 멤브레인 효율적인 촉매.

vanadium(IV) oxide(VO2) undergoes a metal–insulator transition near 68°C. Below it: insulator, high resistance. Above it: metal, low resistance. As nanowires, the phase change gets sharper and faster because of the huge surface-to-volume ratio—like giving the material a built-in thermostat. Hongwu Nano produce both VO2 nanopowder and VO2 nanowire.

hongwu nano는 좋은 가격 및 질에 각종 크기 b4c 붕소 탄화물 분말을 공급한다.

다중 벽 탄소 나노 튜브 높은 전도성을 가지며 분산하기 쉽고 강화 복합 재료로 널리 사용됩니다.

MWcnts의 분산 및 시멘트 기반 재료의 전기적 및 기계적 특성에 미치는 영향. 실험 결과, 초음파 처리 시간이 30 분일 때 mwcnts 용액의 농도는 1 %, 분산제 pvp-k30의 첨가량은 7 %였으며, mwcnts의 분산 효과가 가장 우수함을 보여 주었다. mwcnts가 시멘트계 물질에 잘 분산되면, 용량이 증가함에 따라 시멘트 기재의 저항률이 감소하고, 시멘트계 물질의 압축 강도 및 굴곡 강도는 용량이 증가함에 따라 증가한다. hwnanomaterial은 다중 벽 탄소 나노 튜브 mwcnts의 다음 사양을 제공합니다. 다중 벽 탄소 나노 튜브 (mwcnt), d 10-30nm, l 1-2um, 99 %, 95 %, 92 %, 90 % 다중 벽 탄소 나노 튜브 (mwcnt), 디 10-30nm, l 5-20um, 99 %, 95 %, 92 %, 90 % 다중 벽 탄소 나노 튜브 (mwcnt) , d 3 0-60nm, l 1-2um, 99 %, 95 %, 92 %, 90 % 다중 벽 탄소 나노 튜브 (mwcnt) , d 3 0-60nm, l 5-20um, 99 %, 95 %, 92 %, 90 % 다중 벽 탄소 나노 튜브 (mwcnt), d 60-100nm, l 1-2um, 99 %, 95 %, 92 %, 90 % 다중 벽 탄소 나노 튜브 (mwcnt), d 60-100nm, l 5-20um, 99 %, 95 %, 92 %, 90 % 우리가 처리하는 모든 주문은 지속적인 성장의 초석이었던 관리와 품질을 반영합니다.

은 분말 입자 크기가 약 1.5㎛이고 구형으로 잘 분산되어있다.

산화 아연 나노 와이어 / 나노 기술은 쇼트 키 콘택트 타입 디바이스의 제조에 이상적인 재료이다. hongwu 나노 미터 전문 제조 업체, 공급 업체 및 중국의 나노 소재에 대한 중국의 수출국이다. 우리의 산화 아연 나노 와이어 사양은 다음과 같습니다 : 1.d : 20-80nm, 1 : 2um, 99.9 % 2. d : u0026 lt; 50nm, l : 1-2um, 99.9 % 3.d : u003c120nm, 1 : 1-3um, 99.9 % 핵산 검출은 점점 더 널리 genotyping 기술, 임상 진단 및 생물 의학 연구 및 기타 분야에 적용되므로, 전통적인 광학 검출 및 실시간 pcr 기술은 높은 비용과 같은 몇 가지 단점을 가지고 더 이상 수요를 충족시킬 수 없습니다 장치는 높은 비용 효과, 고속 및 고감도의 테스트가 필요합니다. 대조적으로, 표식이없는 검출 장치로 대표되는 1 차원 재료는 비 표면적이 크기 때문에 저비용의 간단하고 효과적인 dna 테스트를 제공 할 수있다. 반도체 나노 와이어를 기반으로하는 FET는 그럴 가능성이 매우 큰 장치입니다. 쇼트 키 장벽 높이 (sbh)의 금속 - 반도체 계면을 변화시키는 것은 연구자들의 핫스팟 인 디바이스 성능을 조절할 수있다. 산화 아연 나노 와이어 / 나노 기술 우수한 반도체 및 압전 성능을 갖춘이 소자는 쇼트 키 콘택트 타입 소자의 제조에 이상적인 재료이다. 나노 과학 및 국립 연구소의 국립 연구소 연구자들은 산화 아연 나노 와이어에 압전 포텐셜을 발생시키는 외부 스트레인 (strain)을 사용했다. 압전 효과의 기초에, 잠재력은 sbh 연결 공용 영역의 효력을 증가 시키거나 감소 될 수있다, 그래서 nanowire 근거한 장치의 재산을 바꾸십시오. 또한, 프로브 보완 목표 cdna와 nanowire 단일 가닥 dna (ssdna) 사이의 특정 하이브 리다이 제이션을 만드는 장치는 선택적 감지 기능을 달성 할 수 있습니다. 이 연구의 실험 결과는 산화 아연 나노 와이어 기반 dna 센서에 적용된 압축 변형이 -0.59 %가되었을 때 전류 응답의 상대 값이 454 % 증가한 것을 보여 주었다. 이는 압전 디바이스 전자 효과를 사용하는 수정 된 방법이 쇼트 키 접촉 형 나노 와이어 기반의 dna 센서의 검출 성능을 현저히 향상시킬 수 있음을 완전히 설명했다. 대구에서