항균 사용을위한 1 차원 물질 산화 아연 나노 와이어

HONGWU NANO 공장 직접 제공 Zic Oxide Nanowires. 촉매, 항균, 센서 등에 적용 가능

zno 나노 와이어는 새로운 종류의 반도체 재료입니다.

산화 아연 나노 와이어는 감광 재료로서 널리 사용되는

산화 아연 나노 와이어 / 나노 기술은 쇼트 키 콘택트 타입 디바이스의 제조에 이상적인 재료이다. hongwu 나노 미터 전문 제조 업체, 공급 업체 및 중국의 나노 소재에 대한 중국의 수출국이다. 우리의 산화 아연 나노 와이어 사양은 다음과 같습니다 : 1.d : 20-80nm, 1 : 2um, 99.9 % 2. d : u0026 lt; 50nm, l : 1-2um, 99.9 % 3.d : u003c120nm, 1 : 1-3um, 99.9 % 핵산 검출은 점점 더 널리 genotyping 기술, 임상 진단 및 생물 의학 연구 및 기타 분야에 적용되므로, 전통적인 광학 검출 및 실시간 pcr 기술은 높은 비용과 같은 몇 가지 단점을 가지고 더 이상 수요를 충족시킬 수 없습니다 장치는 높은 비용 효과, 고속 및 고감도의 테스트가 필요합니다. 대조적으로, 표식이없는 검출 장치로 대표되는 1 차원 재료는 비 표면적이 크기 때문에 저비용의 간단하고 효과적인 dna 테스트를 제공 할 수있다. 반도체 나노 와이어를 기반으로하는 FET는 그럴 가능성이 매우 큰 장치입니다. 쇼트 키 장벽 높이 (sbh)의 금속 - 반도체 계면을 변화시키는 것은 연구자들의 핫스팟 인 디바이스 성능을 조절할 수있다. 산화 아연 나노 와이어 / 나노 기술 우수한 반도체 및 압전 성능을 갖춘이 소자는 쇼트 키 콘택트 타입 소자의 제조에 이상적인 재료이다. 나노 과학 및 국립 연구소의 국립 연구소 연구자들은 산화 아연 나노 와이어에 압전 포텐셜을 발생시키는 외부 스트레인 (strain)을 사용했다. 압전 효과의 기초에, 잠재력은 sbh 연결 공용 영역의 효력을 증가 시키거나 감소 될 수있다, 그래서 nanowire 근거한 장치의 재산을 바꾸십시오. 또한, 프로브 보완 목표 cdna와 nanowire 단일 가닥 dna (ssdna) 사이의 특정 하이브 리다이 제이션을 만드는 장치는 선택적 감지 기능을 달성 할 수 있습니다. 이 연구의 실험 결과는 산화 아연 나노 와이어 기반 dna 센서에 적용된 압축 변형이 -0.59 %가되었을 때 전류 응답의 상대 값이 454 % 증가한 것을 보여 주었다. 이는 압전 디바이스 전자 효과를 사용하는 수정 된 방법이 쇼트 키 접촉 형 나노 와이어 기반의 dna 센서의 검출 성능을 현저히 향상시킬 수 있음을 완전히 설명했다. 대구에서

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나노 텅스텐 카바이드 코발트 분말의 규격입자 크기 : 60-80nm공동 내용 : 6co, 10co, 12co, 17co, 조절 가능순도 : 99.9 % 텅스텐 카바이드 코발트 분말의 응용 : 초경합금의 결합제 상이 강자성체이기 때문에 텅스텐 - 코발트 합금의 보자력, 합금의 자기 특성 및 보자력을 이용하여 합금의 구조를 제어 할 수있다. 그것은 텅스텐 강철 제조자를위한 내부 통제 손가락이다. . wc-co 합금의 보자력은 주로 드릴링 함유량 및 그 분산과 관련이 있으며, 코발트 함유량의 감소에 따라 증가한다. 코발트의 양이 일정한 경우, 텅스텐 카바이드 입자가 미세 해짐에 따라 코발트 상이 분산되는 정도가 커져서 보자력이 증가하게된다. 반대로 보자력이 저하된다. 따라서 동일한 조건 하에서, 보자력은 합금 내의 텅스텐 카바이드의 입자 크기를 간접적으로 측정하기위한 매개 변수로서 사용될 수있다 : 정상 구조의 합금에서, 탄소 함량이 감소함에 따라, 뚫어진 상에 텅스텐 함량이 증가한다 . 코발트 상이 크게 강화되면 보자력이 증가한다. 소결시의 냉각 속도가 커질수록 보자력이 커진다.텅스텐 카바이드는 높은 탄성 계수 값을 가지기 때문에, wc-co 합금은 또한 높은 탄성 연삭 량을 갖는다. 합금 내의 코발트 함량이 증가할수록 탄성률은 감소하고; 합금 내의 텅스텐 카바이드의 입자 크기는 탄성률에 유의 한 영향을 미치지 않는다. 사용 온도가 증가함에 따라 합금의 탄성 계수는 ​​감소한다.

대량 공급 나노 소재 수용성 및 알콜 가용성 플러렌 c60 중국.

은나노로드는 종횡비가 작고 강성이 높으며 상대적으로 뭉침과 엉킴이 적어 복합재료 내 분산 및 복합재료 성능 향상에 유리하다. Nano Ag 로드는 높은 비표면적, 높은 로딩, 쉬운 표면 기능화, 우수한 분산 및 안정성을 가지고 있습니다.

그라 핀 산화물은 많은 친수성 그룹을 포함하고 물에 쉽게 분산됩니다.

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산화 아연 (zno) 나노 입자는 무기 물리 태양 차단제로서 선 스크린에 종종 사용됩니다.

hw 나노 재료 판매 고순도 bi2o3 나노 비스무트 산화물 전자 도자기 및 피에조 저항 사용 o765 : 나노 비스무트 산화물, 입자 크기 20-30nm, 99.5 % o766 : 나노 비스무트 산화물, 입자 크기 30-50nm, 99.5 % bi2o3 나노 비스무트 산화물 중요한 기능 재료입니다. 산화 비스무스의 사용은 유기 합성, 세라믹 착색제, 플라스틱 난연제, 의약품 수렴제, 유리 첨가제, 고 굴절 유리 및 원자력 공학 유리 제조 및 원자로 연료에 대한 우수한 촉매 일뿐만 아니라 중요한 도핑의 일종이다 전자 산업의 분말 재료. bi2o3 나노 비스무트 산화물 분말은 주로 화학 공업 (예 : 화학 시약, 비스무스 염 제조 등), 유리 산업 (주로 착색에 사용), 전자 산업 (전자 도자기 등) 및 기타 산업 (예 : 화재 용지 제조, 원자로 연료 중 전자 산업은 가장 널리 사용되는 산화 비스무트 산업으로 주로 배리스터, 서미스터, 산화 아연 체 및 CRT 및 기타 분야에서 사용됩니다. 전자 세라믹 분말 재료, 전해질 재료, 광전자 재료, 고온 초전도 재료, ​​촉매 전자 세라믹 분말 재료 전자 세라믹 분야는 산화 비스무스의 적용을위한 성숙하고 역동적 인 분야입니다. 산화 비스무트는 전자 세라믹 분말 재료의 중요한 첨가제로서 99.5 % 이상의 일반적인 요구 사항의 순도를 제공합니다. 주요 적용 대상은 산화 아연 배리스터, 세라믹 커패시터 및 페라이트 자성 재료의 세 가지 범주입니다. 전자 도자기의 개발에서 미국은 세계에서 가장 위대한 국가 중 하나입니다. 일본은 전세계 세라믹 시장 점유율 60 %를 차지하기 위해 대량 생산과 선진 기술에 의존하고 있습니다. 나노 비스무스 산화물 연구 개발 및 제조 기술 혁신의 균질화는 또한 성능을 향상시키고 생산 비용을 줄이기 위해 전자 세라믹 관련 부품을 크게 홍보 할 것입니다. 아연 산화물 바리스터의 비스무스 산화물은 주로 에이전트, 아연 산화물 바리스터 높은 비선형 voltammetry, 주요 참여자의 특성 형성에 역할을한다.