나노 게르마늄 금속 분말, 트랜지스터 재료 게르마늄 분말

고순도 게르마늄 나노 분말은 다양한 트랜지스터, 정류기 및 기타 장치에 사용될 수 있습니다.

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무기 나노 소재 순수 Ge 게르마늄 분말 가격 hwnwu 국제 그룹 LTD, hwnano 브랜드, 금속 나노 입자와 같은 나노 입자를 제조하는 나노 기술 회사로서 업계에 새로운 나노 물질 기반 응용 프로그램을 개발하고 세계적으로 알려진 회사의 거의 모든 종류의 나노 크기의 분말을 공급합니다. 이름 : 순수 게르마늄 분말 대체 이름 : 금속 게르마늄 분말, 게르마늄 나노 입자, 게르마늄 나노 분말, 원소 GE 나노 분말. 수식 : ge 분자량 : 72.64 cas no .: 7440-56-4 입자 크기 : 50nm, 100nm, 200nm, 400nm, ..., 맞춤형 순도 : 99.999 %, ..., 맞춤형 외관 색상 : 회색에서 갈색 고체 분말 포장 : 10g, 50g, 100g, 500g, 1kg 진공 또는 필요에 따라 hw nano에서 우리는 고품질의 초 미세 순수 게르마늄 분말을 고객 사양 이상으로 제조합니다. 우리는 평균 입자 크기가 약 1 ~ 4 인 매우 다양한 분말 등급을 제공합니다. 50nm ~ 1um. 우리는 특정 용도 및 공정 최적화에 관한 질문에 적합한 분말 선택에 대한 기술 지원을 제공합니다. 품질 및 고객 서비스에 대한 우리의 약속은 우리를 국제 게르마늄 시장의 선두 주자로 만들었습니다. 우리는 최상의 결과를 얻기 위해 사양을 미세 조정하여 완성품을 더 잘 만들도록 고객과 협력합니다. 당신이 나노 게르마늄 분말에 관심이 있다면, 우리는 당신에게서 듣고 싶습니다.

에너지 응용 분야. 재생 에너지에 대한 관심과 배터리에 대한 의존도가 커짐에 따라 과학자들은 배터리에 대한 다양한 가능성을 연구 해 왔습니다. 게르마늄 나노 입자는 물질의 높은 표면적을 최대한 활용하여 리튬 이온 배터리 용 나노 물질로서 탁월한 가능성을 보여주었습니다. 99.999 % 고순도 금속 게르마늄 나노 입자, 크기는 50nm, 100nm, 200nm, 300nm, 400nm 등을 포함 나노 실리콘은 현재 양극 재료의 연구 핫 스폿 중 하나입니다. 그러나 실온에서 나노 게르마늄은 나노 실리콘보다 전자 전도성과 리튬 이온의 확산 속도가 빠르기 때문에 나노 게르마늄은 고전력 리튬 이온 전지의 양극 재료에 대한 강력한 후보 물질이다. 표면 안정화 된 고순도 금속 게르마늄 나노 입자는 리튬 저장 물질로 잘 사용된다. 금속 Ge 나노 입자는 리튬 저장 물질에서 사이클링 성능 및 고속 용량을 달성 할 수있다. 향상된 전기 화학적 성능은 Ge 나노 입자를위한 효율적인 전자 경로를 제공 할뿐만 아니라 리튬 합금 및 탈 이온화 동안 Ge 나노 입자의 거대한 부피 변화로 인한 전극의 분쇄 및 박리를 완충하는 전도성 ppy 코어에 기인 할 수있다. 합금. 주의 사항 : 1. 금속 게르마늄 나노 입자는 햇빛, 공기 및 고온에서 보호되어야합니다. 2. 금속 게르마늄 나노 입자는 연구 및 산업 목적을위한 것이며 사용자는이 제품을 사용하는 방법을 알고있는 전문가이어야합니다. hwnanomaterial 선도적 인 고순도 금속 게르마늄 나노 입자 제조 업체 & amp; 우리는 항상 100 % 품질의 제품을 제공합니다. 최상의 결과를 얻기 위해 사양을 미세 조정하여 완성품을 더 잘 만들도록 고객과 협력합니다.

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2002년부터 중국 공장 직접 제안은 초미세 금속 나노분말 제조 및 수출에 중점을 두고 있으며 샘플 주문 및 배치 주문이 모두 가능하며 경쟁력 있는 가격, 좋고 안정적인 품질, 필요한 모든 문의 환영합니다.

전도성 고무, 전도성 잉크, 전도성은 페인트, 등등에서 널리 이용되는 전도성 찌질은 분말.

산화 아연 나노 와이어 / 나노 기술은 쇼트 키 콘택트 타입 디바이스의 제조에 이상적인 재료이다. hongwu 나노 미터 전문 제조 업체, 공급 업체 및 중국의 나노 소재에 대한 중국의 수출국이다. 우리의 산화 아연 나노 와이어 사양은 다음과 같습니다 : 1.d : 20-80nm, 1 : 2um, 99.9 % 2. d : u0026 lt; 50nm, l : 1-2um, 99.9 % 3.d : u003c120nm, 1 : 1-3um, 99.9 % 핵산 검출은 점점 더 널리 genotyping 기술, 임상 진단 및 생물 의학 연구 및 기타 분야에 적용되므로, 전통적인 광학 검출 및 실시간 pcr 기술은 높은 비용과 같은 몇 가지 단점을 가지고 더 이상 수요를 충족시킬 수 없습니다 장치는 높은 비용 효과, 고속 및 고감도의 테스트가 필요합니다. 대조적으로, 표식이없는 검출 장치로 대표되는 1 차원 재료는 비 표면적이 크기 때문에 저비용의 간단하고 효과적인 dna 테스트를 제공 할 수있다. 반도체 나노 와이어를 기반으로하는 FET는 그럴 가능성이 매우 큰 장치입니다. 쇼트 키 장벽 높이 (sbh)의 금속 - 반도체 계면을 변화시키는 것은 연구자들의 핫스팟 인 디바이스 성능을 조절할 수있다. 산화 아연 나노 와이어 / 나노 기술 우수한 반도체 및 압전 성능을 갖춘이 소자는 쇼트 키 콘택트 타입 소자의 제조에 이상적인 재료이다. 나노 과학 및 국립 연구소의 국립 연구소 연구자들은 산화 아연 나노 와이어에 압전 포텐셜을 발생시키는 외부 스트레인 (strain)을 사용했다. 압전 효과의 기초에, 잠재력은 sbh 연결 공용 영역의 효력을 증가 시키거나 감소 될 수있다, 그래서 nanowire 근거한 장치의 재산을 바꾸십시오. 또한, 프로브 보완 목표 cdna와 nanowire 단일 가닥 dna (ssdna) 사이의 특정 하이브 리다이 제이션을 만드는 장치는 선택적 감지 기능을 달성 할 수 있습니다. 이 연구의 실험 결과는 산화 아연 나노 와이어 기반 dna 센서에 적용된 압축 변형이 -0.59 %가되었을 때 전류 응답의 상대 값이 454 % 증가한 것을 보여 주었다. 이는 압전 디바이스 전자 효과를 사용하는 수정 된 방법이 쇼트 키 접촉 형 나노 와이어 기반의 dna 센서의 검출 성능을 현저히 향상시킬 수 있음을 완전히 설명했다. 대구에서