그래 핀 는 단층의 흑연이다. 단층 그라 핀은 그 전자적 성질에서 높은 결정 성과 반 금속성을 보이는 것으로 나타났다. 원자 적으로 평평한 것은 양극성이며 양전하가있는 원자가와 전도대를 가진 양극성 인 것으로 판명되었다. graphene sheet가 1 차원 graphene baboribbon (gnr)으로 감소되면, graphene width가 감소함에 따라 양자 구속과 edge 효과가 현저해진다. 초기 연구와 달리 전자 특성 gnrs의 에너지 간격은 모든 gnr에서 계산되었다. 계산은 12-14 융합 된 방향족 고리 시스템으로 수행되었으며 gnrs의 너비는 ~ 3nm이었다.
매우 높은 이동성, 게이트 전압 제어 전자 또는 홀 캐리어, 그리고 조정 가능한 밴드 갭은 나노 미터 전자에 이상적 일 수 있으며, 에너지 갭을 갖는 gnrs.gnrs의 대규모 합성에 엄청난 관심을 불러 일으켰다. 나노 디바이스에 유리하다. 나노 튜브의 3 분의 1이 금속 인 것으로 기대되는 swnt와 비교할 때,이 고유 한 반도 체 성질은 고성능의 고속 반도체 나노 소자의 선호를 상당히 단순화 할 수있다. 비교적 대규모의 합성은 최근에 비슷한 절차를 사용하여 실현되었다 분말의 정제 및 분리에 이르기까지, ~ 350um 규모의 흑연 박편을 황산 및 질산과 함께 1000 ℃에서 1 분 동안 인터 칼 레이팅함으로써 제조 된 팽창 가능한 그래파이트를 박리하여 1,2- 디클로로 에탄 분산액을 분산시키고, 현탁액과 수 층 그라 핀 리본 및 시트를 원심 분리한다.
transpots 측정은 모든 하위 10nm 나노 미터가 반도체 였음을 보여 주었고, 최근에 두 개의 기사가 cnts의 길이 방향 압축 해제를보고 좁고 균일 한 gnr을 만들었다. 첫 번째 것은 농축 된 silfric acid에서 mwnts를 정지시킨 후 고전적인 칼륨 과망간산 염의 산화에 이어 c = c 이중 결합은 전기 전도도를 회복시키는 데 필요한 화학적 환원 단계를 제공한다. 두 번째 것은 또한 mwnts로 시작하지만 Si 웨이퍼 위로 확산되고 폴리로 코팅된다. 매립 된 pmma가 벗겨져 에칭 된 ar 플라즈마에 노출된다 sub-10nm 너비의 mwnts layer.gnrs의 먼 부분이 준비되었으며 실제 응용을위한 대규모 잘 정렬 된 반도체 나노 디바이스가 가능할 수 있음을 시사한다.
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